SCD-1500型半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內(nèi)置使用說明及幫助等新一代技術(shù)，適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。半導(dǎo)體C-V特性分析儀測(cè)試頻率為10kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體件CV特性測(cè)試分析。

WLRYJ-300型微流控芯片真空熱壓機(jī)是一款應(yīng)用于PMMA、PC、PP、COP、COC、BOPET、CBC、樹脂（部分）、聚乙烯（部分）等硬質(zhì)塑料芯片的鍵合，是硬質(zhì)塑料微流控芯片加工專用設(shè)備。 基于MEMS技術(shù)制備的微流控芯片，其表面多種微結(jié)構(gòu)（微通道、微儲(chǔ)液池、微孔等）需要經(jīng)過鍵合形成密封的微流路才能用于微流控分析。熱壓鍵合的原理是，通過外部壓力使得工件表面緊密結(jié)合，依靠氫鍵形成初步鍵合，當(dāng)

JYJC-3型絕緣及抗靜電材料電阻率及表面電阻測(cè)試儀是一款針專門用于絕緣及抗靜電材料電阻率及表面電阻測(cè)試裝置，采用環(huán)形三電極測(cè)試可以勝任于防靜電產(chǎn)品(防靜電鞋、防靜電塑料橡膠制品、計(jì)算機(jī)房防靜電活動(dòng)地板等)電阻值的檢測(cè);材料體電阻(率)和表面電阻(率)測(cè)量，是目前電阻率及表面電阻測(cè)試的重要材料測(cè)試設(shè)備。 一、主要應(yīng)用領(lǐng)域： 1、防靜電橡膠電阻率及表面電阻 2、絕緣防靜電塑電阻率及表面電阻

JWDL-1型金屬電阻率測(cè)試儀是一款針對(duì)于不同金屬材料電阻測(cè)試的專業(yè)設(shè)備，不管是銅金屬材料，導(dǎo)電金屬箔材，金屬片等，柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層都可以采用這款設(shè)備，金屬電阻率測(cè)試方案核心原則：一是可以用專門測(cè)試金屬材料電阻率的鎢針探頭，二是要知道金屬材料的測(cè)試范圍能夠更好的為你選配四探針測(cè)試儀。金屬材料屬于硬質(zhì)材料，必須要選擇碳化鎢針探頭，這種探

DRJS-2型電容器金屬化膜測(cè)試儀是一款專門應(yīng)用于電容器薄膜測(cè)試的設(shè)備， PET薄膜上金屬化膜，真空鍍膜和噴鍍工藝形成，金屬膜厚度極薄，附著力差，容易脫落。 薄膜專用測(cè)試探頭自帶彈簧收縮功能，很好的解決了金屬膜的測(cè)試弱點(diǎn)，自主研發(fā)的高精準(zhǔn)度測(cè)試儀和專用型測(cè)試臺(tái)搭配，測(cè)試探頭測(cè)采用最新的平行四刀法，讓樣品測(cè)試數(shù)據(jù)更穩(wěn)定，重復(fù)性更好。 DRJS-2型電容器金屬化膜測(cè)試儀是目前納米材料和柔性材料研究的重

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，其形狀為圓形；晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程，通過嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片，降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度，要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi)，最大可以達(dá)到±0.03℃，是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。