描述：晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，其形狀為圓形；晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程，通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片，降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度，要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi)，最大可以達(dá)到±0.03℃，是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

關(guān)鍵詞：晶圓，均勻，6寸

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，其形狀為圓形；晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程，通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片，降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度，要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi)，最大可以達(dá)到±0.03℃，是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

主要技術(shù)參數(shù);

1、溫度：室溫-200℃，650℃，1000℃，

2、加熱速率：40℃/min,

3、加熱臺(tái)尺寸：6寸，8寸，12寸等可以定制

4、控溫精度：±1 ℃

5、加熱溫度均勻度允許誤差：±1℃ 

6、加熱臺(tái)需可抗壓：100KN

7、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

8、表面處理：鍍膜，鍍金或是黑礬石

9、熱臺(tái)材質(zhì)：不銹鋼或銅

10、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試

               6寸晶圓在不同溫度下均勻性