描述：HTIM-300高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb），三元化合物半導(dǎo)體GaA

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀

HTIM-300高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb），三元化合物半導(dǎo)體GaAsAl、GaAsP，固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測(cè)量等材料的電阻率測(cè)量。

二、主要應(yīng)用領(lǐng)域：

半導(dǎo)體材料電阻測(cè)試

復(fù)合絕緣材料

陶瓷材料

云母

玻璃材料

導(dǎo)電功能薄膜材料

絕緣超材料

硅橡膠材料

PCB材料
三、主要技術(shù)參數(shù)：
溫度范圍：-160℃-600℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.5℃
電阻測(cè)量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測(cè)量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測(cè)量環(huán)境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測(cè)量方法：四線電阻法
測(cè)試通道：?jiǎn)瓮ǖ?/span>
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：紫銅鍍金
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式：TXT文本格式
數(shù)據(jù)傳輸：USB
符合標(biāo)準(zhǔn)：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；
存儲(chǔ)溫度：–40 ℃ 至 +65 ℃
工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對(duì)濕度高達(dá) 95%（無(wú)冷凝）
設(shè)備尺寸：400x450x580mm
重量：38kg

案列：交付中科院上海微電子系統(tǒng)研究所

現(xiàn)場(chǎng)交付圖

能提供從-190℃到600℃溫度范圍內(nèi)的精準(zhǔn)控制。

   現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試變溫電阻測(cè)試數(shù)據(jù)（二）

測(cè)試樣品為高阻材料，實(shí)驗(yàn)顯示隨溫度升高，材料電阻在高溫下驟降。在本次交付中，針對(duì)客戶需求，對(duì)配套軟件進(jìn)行了定制。

包含兩種測(cè)試模式：

①RT測(cè)試：樣品電阻隨溫度變化；

②數(shù)據(jù)時(shí)間譜測(cè)試：到達(dá)設(shè)定溫度后，樣品電阻隨時(shí)間變化。