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型號(hào):
JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)

描述:JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng),即可用于縱向壓電D33測(cè)試,豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試,配置了高低溫冷熱臺(tái),進(jìn)行變溫測(cè)試,配置顯微鏡進(jìn)行微觀(guān)觀(guān)測(cè),也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試,是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案,可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電

  • 廠(chǎng)商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間

    2025-04-21
  • 訪(fǎng)問(wèn)量

    1377
詳細(xì)介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類(lèi)別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域能源,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車(chē)及零部件,電氣

JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:壓電系數(shù),阻抗,顯微鏡,高低溫

  

    JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng),即可用于縱向壓電D33測(cè)試,豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試,配置了高低溫冷熱臺(tái),進(jìn)行變溫測(cè)試,配置顯微鏡進(jìn)行微觀(guān)觀(guān)測(cè),也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試,是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案,可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電材料的電容等相關(guān)系數(shù),是研究壓電材料和阻抗分析的綜合設(shè)備,是科研的重要輔助設(shè)備。

一、產(chǎn)品應(yīng)用范圍:

1.壓電材料器件科學(xué)研究

2.壓電材料的用于評(píng)定壓電陶瓷片性能優(yōu)劣

3.壓電材料阻抗分析

4.其他介質(zhì)材料: 塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估

磁性材料:鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估

半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

液晶單元:介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性

5.  導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

半導(dǎo)體元件:LED驅(qū)動(dòng)集成電路寄生參數(shù)測(cè)試分析;變?nèi)荻O管的C-VDC特性; 晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

二、主要技術(shù)參數(shù):

頻率:10HZ-30MHZ

測(cè)試電平:AC: AC電壓:5mV - 2Vrms ,分辨率:1mV, DC:±40V,分辨率:1mV

測(cè)試參數(shù):Cp/CsLp/LsRp/Rs|Z||Y|RXGB、θ、DQVacIacRdcVdcIdc

顯微鏡:630萬(wàn)像素,偏光觀(guān)察模式

薄膜平臺(tái):30*30MM樣品臺(tái),探針連接

×1擋:102000pC/N20 4000pC/N,可以升級(jí)到10000PC/N.

×0.1擋: 1200pC/N400pC/N

可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用

可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用

誤差:×1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d331004000pC/N

計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸:18mm*0.8mm,老化時(shí)間:2-3年(評(píng)判壓電測(cè)試儀準(zhǔn)確性能的重要依據(jù)之一)

提供壓電薄膜標(biāo)準(zhǔn)片:20*20MM

電壓保護(hù):放電保護(hù)功能 

±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d3310200pC/N

×0.1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,(當(dāng)d3310200pC/N)

±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d331020pC/N

分辨率:   ×1擋:1 pC/N;×0.1擋:0.1 pC/N

尺寸:施力裝置:Φ110×140mm;儀器本體:240×200×80mm



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